BÁO CÁO - Tính toán thiết kế mạch kích mosfet & igbt
Ngày nay, với sự tiến bộ của khoa học trong chế tạo linh kiện. MOSFET và IGBT công suất đã khẳng định vị trí dẫn đầu trong ngành bán dẫn công suất. Và được ứng dụng rộng rãi trong các ứng dụng liên quan đến đóng ngắt và khuyếch đại công suất.
Một trong những yếu tố giúp MOSFET và IGBT được sử dụng nhiều là nhờ khả năng kích đóng và kích ngắt ở tần số cao khá dễ so với các linh kiện khác như BJT, TRIAC, GTO…
Trên thị trường, có rất nhiều linh kiện hoặc module hoàn chỉnh dùng để kích MOSFET và IGBT. Trong đó có dòng Driver SKHI, được biết đến như một chuẩn công nghiệp và được sử dụng rộng rãi. IC SKHI sử dụng kỹ thuật bootstrap, là một phương pháp cấp nguồn cho mạch kích khá đơn giản và rất kinh tế.
Nhắm đến mục tiêu làm chủ phương pháp kích IGBT và áp dụng thực hiện mạch thay thế IC SKHI, tài liệu này sẽ đề cập đến các vấn đề sau:
Giới thiệu mạch cấp nguồn kiểu bootstrap và cách tính toán giá trị tụ bootstrap.
Giới thiệu và phân tích quá trình đóng ngắt của MOSFET và IGBT
Cách tính điện trở kích đóng và điện trở kích ngắt
NỘI DUNG:
Phần I: Tính giá trị tụ bootstrap ..............................................................4
I.1 Sơ đồ nguyên lý mạch sử dụng tụ bootstrap ..................................4
I.2 Tính giá trị tụ bootstrap .................................................................4
I.3 Một số lưu ý ...................................................................................5
Phần II: Quá trình kích đóng IGBT ........................................................6
II.1 Giới thiệu quá trình kích đóng .....................................................6
II.2 Phân tích quá trình kích đóng .......................................................7
Phần III: Quá trình kích ngắt IGBT ........................................................9
Phần IV: Tính giá trị điện trở kích ........................................................10
IV.1 Điện trở tới hạn .........................................................................10
IV.2 Điện trở kích đóng ....................................................................11
IV.3 Điện trở kích ngắt .....................................................................12
Phần V: Thiết kế mạch kích IGBT dùng IC Driver IR2114 ................13
V.1 Sơ đồ khối ..................................................................................13
V.2 Sơ đồ nguyên lý .........................................................................14
V.3 Mạch in ......................................................................................15
V.4 Kết quả thử nghiệm và đánh giá ................................................17
Tài liệu tham khảo .....................................................................................20
Ngày nay, với sự tiến bộ của khoa học trong chế tạo linh kiện. MOSFET và IGBT công suất đã khẳng định vị trí dẫn đầu trong ngành bán dẫn công suất. Và được ứng dụng rộng rãi trong các ứng dụng liên quan đến đóng ngắt và khuyếch đại công suất.
Một trong những yếu tố giúp MOSFET và IGBT được sử dụng nhiều là nhờ khả năng kích đóng và kích ngắt ở tần số cao khá dễ so với các linh kiện khác như BJT, TRIAC, GTO…
Trên thị trường, có rất nhiều linh kiện hoặc module hoàn chỉnh dùng để kích MOSFET và IGBT. Trong đó có dòng Driver SKHI, được biết đến như một chuẩn công nghiệp và được sử dụng rộng rãi. IC SKHI sử dụng kỹ thuật bootstrap, là một phương pháp cấp nguồn cho mạch kích khá đơn giản và rất kinh tế.
Nhắm đến mục tiêu làm chủ phương pháp kích IGBT và áp dụng thực hiện mạch thay thế IC SKHI, tài liệu này sẽ đề cập đến các vấn đề sau:
Giới thiệu mạch cấp nguồn kiểu bootstrap và cách tính toán giá trị tụ bootstrap.
Giới thiệu và phân tích quá trình đóng ngắt của MOSFET và IGBT
Cách tính điện trở kích đóng và điện trở kích ngắt
NỘI DUNG:
Phần I: Tính giá trị tụ bootstrap ..............................................................4
I.1 Sơ đồ nguyên lý mạch sử dụng tụ bootstrap ..................................4
I.2 Tính giá trị tụ bootstrap .................................................................4
I.3 Một số lưu ý ...................................................................................5
Phần II: Quá trình kích đóng IGBT ........................................................6
II.1 Giới thiệu quá trình kích đóng .....................................................6
II.2 Phân tích quá trình kích đóng .......................................................7
Phần III: Quá trình kích ngắt IGBT ........................................................9
Phần IV: Tính giá trị điện trở kích ........................................................10
IV.1 Điện trở tới hạn .........................................................................10
IV.2 Điện trở kích đóng ....................................................................11
IV.3 Điện trở kích ngắt .....................................................................12
Phần V: Thiết kế mạch kích IGBT dùng IC Driver IR2114 ................13
V.1 Sơ đồ khối ..................................................................................13
V.2 Sơ đồ nguyên lý .........................................................................14
V.3 Mạch in ......................................................................................15
V.4 Kết quả thử nghiệm và đánh giá ................................................17
Tài liệu tham khảo .....................................................................................20

%20(1).png)

.png)
Không có nhận xét nào: